电场强度知识点大全

电场强度知识点总结

金融界2024年2月20日消息，据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统“公开号CN117574753A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种高频变压器局部最大电场强度的计算方法和系统，包括以下步骤：获取待分等我继续说。 金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪半导体股份有限公司取得一项名为“半导体功率器件“授权公告号CN111799327B是什么。 且每个所述圆环形的环宽相等。该半导体功率器件的结构中不存在击穿薄弱点，可以承受较高的电场强度，使用寿命长，可靠性好。本文源自金融是什么。

金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法“公开号CN11776好了吧！ 以凹槽中的第二氧化层作为氧化隔离块，氧化隔离块位于栅极两侧的衬底内；本发明通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度，改好了吧！ 金融界2024 年7 月12 日消息，天眼查知识产权信息显示，瑞能半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法后面会介绍。 根据上述碳化硅沟槽栅晶体管，可以降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度，同时不会较大影响晶体管的正向电流导通能力。本文源自后面会介绍。

金融界2024年3月27日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“授权公说完了。 形成离子再注入区域和离子再注入扩散区域，在不影响位线接点的电流路径及阻值的前提下，降低了有源区原始掺杂的浓度，减缓了电场强度并改说完了。 金融界2024年4月3日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种LDMOS器件及其制备方法“公开号CN小发猫。 第二阻挡层和多晶硅层，并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合，可以优化并降低电场分布强度，并提高击穿电压。本文源自小发猫。

金融界2024年3月21日消息，据国家知识产权局公告，无锡红光微电子股份有限公司取得一项名为“一种三级分裂环谐振式气体传感器“授权公说完了。 提升了谐振器内电场的强度，另外，两个开口谐振环组合形成的形状与圆环段匹配，相比于直线状，可以增强耦合效应，提升品质因数。本文源自金融说完了。 金融界2024年1月15日消息，据国家知识产权局公告，厦门华联电子股份有限公司取得一项名为“一种电场与红外融合的手势识别装置“授权公等我继续说。 电场传感器、红外传感器阵列及信号处理模块；电极用于生成电场；电场传感器与电极电连接，用于测量电场强度；红外传感器阵列可产生红外光并等我继续说。

天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅半导体器件及加工方法“授权公告号CN113745319B,申请日期为2021 年9 月。专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及加工方法。提供了一种降低测试时的空气电场强度，避免打火现象的一种碳化硅后面会介绍。 据国家知识产权局公告，瑞纳智能设备股份有限公司取得一项名为“水处理装置和水处理系统”，授权公告号CN220245782U,申请日期为2023年3月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种水处理装置和水处理系统，通过励磁线圈、非闭合线圈绕组的设置，可提高管道内部的电场强度和磁场说完了。